Número de Producto del Fabricante:
SQJ488EP-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQJ488EP-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
3878 Pcs Nuevos Originales En Stock
13006422
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ENVIAR
SQJ488EP-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
42A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
979 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SQJ488
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Certificación DIGI
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