SQJ464EP-T1_GE3
Número de Producto del Fabricante:

SQJ464EP-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQJ464EP-T1_GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 32A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

11585 Pcs Nuevos Originales En Stock
13006098
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SQJ464EP-T1_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2086 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SQJ464

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Certificación DIGI
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