Número de Producto del Fabricante:
TK10P60W,RVQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK10P60W,RVQ-DG
Descripción:
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
5042 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889141
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK10P60W,RVQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
430mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
700 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TK10P60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
TK10P60WRVQDKR
TK10P60WRVQCT
TK10P60W,RVQ(S
TK10P60WRVQTR
TK10P60WRVQ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SSM3K37MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
TK290A60Y,S4X
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
TK290P60Y,RQ
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
