Número de Producto del Fabricante:
SSM6J206FE(TE85L,F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6J206FE(TE85L,F-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventario:
12889259
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ENVIAR
SSM6J206FE(TE85L,F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
335 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Número de producto base
SSM6J206
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SSM6J206FETE85LF
SSM6J206FE(TE85LFCT
SSM6J206FE(TE85LFTR
SSM6J206FE(TE85LFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NTZS3151PT1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
17660
NÚMERO DE PIEZA
NTZS3151PT1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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