Número de Producto del Fabricante:
RS1G120MNTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RS1G120MNTB-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
18744 Pcs Nuevos Originales En Stock
13526375
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Cantidad
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Mínimo 1
SK87
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ENVIAR
RS1G120MNTB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16.2mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
570 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
RS1G
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
RS1G120MNTBCT
RS1G120MNTBDKR
RS1G120MNTBTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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