Número de Producto del Fabricante:
R6009KNX
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6009KNX-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
13526049
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ENVIAR
R6009KNX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
R6009
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
R6009KNXCT
R6009KNXDKR
R6009KNXCT-ND
R6009KNXCTINACTIVE
R6009KNXDKR-ND
R6009KNXDKRINACTIVE
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK560A65Y,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
5
NÚMERO DE PIEZA
TK560A65Y,S4X-DG
PRECIO UNITARIO
0.60
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPAW60R600P7SXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1
NÚMERO DE PIEZA
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.94
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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