Número de Producto del Fabricante:
NVMFS5C442NLWFET1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMFS5C442NLWFET1G-DG
Descripción:
T6-40V N 2.5 MOHMS LL
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 28A (Ta), 130A (Tc) 3.7W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventario:
12973854
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NVMFS5C442NLWFET1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
Automotive, AEC-Q101
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Ta), 130A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 90µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NVMFS5C442NLWFET1GDKR
488-NVMFS5C442NLWFET1GTR
488-NVMFS5C442NLWFET1GCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NP35N04YLG-E1-AY
ABU / MOSFET
PJD35N06A-AU_L2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5472A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
