Número de Producto del Fabricante:
NTMS4101PR2
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMS4101PR2-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 6.9A (Ta) 1.38W (Tj) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12857569
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ENVIAR
NTMS4101PR2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
19mOhm @ 6.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3200 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.38W (Tj)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
NTMS41
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
NTMS4101PR2OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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