Número de Producto del Fabricante:
NTMD6601NR2G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMD6601NR2G-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12858254
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NTMD6601NR2G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.1A
rds activados (máx.) @ id, vgs
215mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400pF @ 25V
Potencia - Máx.
600mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
NTMD66
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
ONSONSNTMD6601NR2G
2156-NTMD6601NR2G-ONTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
UPA1952TE-T1-A
MOSFET 2P-CH 20V 2A SC95
NVMFD5C446NWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 24A/127A 8DFN
NVMFD5C462NWFT1G
MOSFET 40V S08FL DUAL
