Número de Producto del Fabricante:
G785-BSS123
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
G785-BSS123-DG
Descripción:
MOSFET N-CH SOT23
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
12974921
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ENVIAR
G785-BSS123 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
170mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
73 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-G785-BSS123TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSS123
FABRICANTE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
CANTIDAD DISPONIBLE
143884
NÚMERO DE PIEZA
BSS123-DG
PRECIO UNITARIO
0.01
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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