Número de Producto del Fabricante:
FQB27N25TM-F085
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQB27N25TM-F085-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12837468
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ENVIAR
FQB27N25TM-F085 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
131mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FQB27
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
FQB27N25TM_F085TR-DG
FQB27N25TM-F085DKR
FQB27N25TM_F085-DG
FQB27N25TM_F085CT-DG
FQB27N25TM_F085TR
2832-FQB27N25TM-F085TR
FQB27N25TM-F085TR
FQB27N25TM_F085
FQB27N25TM_F085CT
FQB27N25TM_F085DKR-DG
FQB27N25TM-F085CT
FQB27N25TM_F085DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB600N25N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4968
NÚMERO DE PIEZA
IPB600N25N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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