Número de Producto del Fabricante:
FDG410NZ
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDG410NZ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 2.2A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventario:
12851456
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDG410NZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
70mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
535 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
420mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-88 (SC-70-6)
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base
FDG410
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2832-FDG410NZTR
FDG410NZTR
FDG410NZDKR
FDG410NZCT
FDG410NZ-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
CSD16301Q2
FABRICANTE
Texas Instruments
CANTIDAD DISPONIBLE
7317
NÚMERO DE PIEZA
CSD16301Q2-DG
PRECIO UNITARIO
0.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDU5N60NZTU
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3
R6504KNJTL
MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
HUF75339G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
