Número de Producto del Fabricante:
FCPF9N60NTYDTU
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCPF9N60NTYDTU-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 29.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventario:
12930568
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ENVIAR
FCPF9N60NTYDTU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
SupreMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1240 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
29.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Número de producto base
FCPF9N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
2832-FCPF9N60NTYDTU
2832-FCPF9N60NTYDTU-488
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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