PDTA115EMB,315
Número de Producto del Fabricante:

PDTA115EMB,315

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

PDTA115EMB,315-DG

Descripción:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 20 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3

Inventario:

199970 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947549
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PDTA115EMB,315 Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
20 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
100 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
100 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
1µA
Frecuencia - Transición
180 MHz
Potencia - Máx.
250 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-101, SOT-883
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1006B-3
Número de producto base
PDTA115

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
PDTA115EMB,315 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
11,225
Otros nombres
2156-PDTA115EMB,315
NEXNXPPDTA115EMB,315

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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