PBSS5112PAP,115
Número de Producto del Fabricante:

PBSS5112PAP,115

Product Overview

Fabricante:

NXP Semiconductors

Número de pieza:

PBSS5112PAP,115-DG

Descripción:

NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)

Inventario:

34680 Pcs Nuevos Originales En Stock
12967784
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
50t3
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

PBSS5112PAP,115 Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
1A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
120V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
480mV @ 100mA, 1A
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
190 @ 100mA, 2V
Potencia - Máx.
510mW
Frecuencia - Transición
100MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
6-HUSON (2x2)

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,888
Otros nombres
2156-PBSS5112PAP,115-954

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
Productos relacionados
harris-corporation

CA3096CM96

3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY

onsemi

EMT2DXV6T5G

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

harris-corporation

CA3083M

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN

intersil

CA3083R4339

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN