IXTT2N170D2

Número de Producto del Fabricante:

IXTT2N170D2

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTT2N170D2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 1700V 2A TO268

Descripción Detallada:

N-Channel 1700 V 2A (Tj) 568W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventario:

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12819302

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IXTT2N170D2 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

Depletion

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1700 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

2A (Tj)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

-

rds activados (máx.) @ id, vgs

6.5Ohm @ 1A, 0V

vgs(th) (máx.) @ id

-

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

110 nC @ 5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

3650 pF @ 25 V

Función FET

Depletion Mode

Disipación de potencia (máx.)

568W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-268AA

Paquete / Caja

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Número de producto base

IXTT2

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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