Número de Producto del Fabricante:
IXFK30N110P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFK30N110P-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1100V 30A TO264AA
Descripción Detallada:
N-Channel 1100 V 30A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventario:
12820779
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFK30N110P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™, Polar
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
360mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
6.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
IXFK30
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
APT29F100L
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
APT29F100L-DG
PRECIO UNITARIO
12.56
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTY1N80
MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA
IXTY4N60P
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
AUIRFR3806
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
