IXFH36N55Q2

Número de Producto del Fabricante:

IXFH36N55Q2

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFH36N55Q2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD

Descripción Detallada:

N-Channel 550 V 36A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventario:

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12820510

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IXFH36N55Q2 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

-

Serie

HiPerFET™, Q2 Class

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

550 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

36A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

180mOhm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

5V @ 4mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

4100 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

560W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-247AD (IXFH)

Paquete / Caja

TO-247-3

Número de producto base

IXFH36

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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