Número de Producto del Fabricante:
FQPF10N50CF
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQPF10N50CF-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
67211 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947286
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
px6s
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQPF10N50CF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
FRFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
610mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2096 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
223
Otros nombres
FAIFSCFQPF10N50CF
2156-FQPF10N50CF
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
RJK1535DPE-LE
40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
FDD8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
AUIRF2805STRL
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK