Número de Producto del Fabricante:

DMT69M5LH3

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMT69M5LH3-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO251 TUBE

Descripción Detallada:

N-Channel 60 V 75A (Tc) 3.3W (Ta), 96W (Tc) Through Hole TO-251

Inventario:

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12978883

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DMT69M5LH3 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

75A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

28.4 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1406 pF @ 30 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

3.3W (Ta), 96W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-251

Paquete / Caja

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

75

Otros nombres

31-DMT69M5LH3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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