Número de Producto del Fabricante:
DMP27M1UPSW-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMP27M1UPSW-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 84A (Tc) 1.95W (Ta), 3.57W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventario:
12993066
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ENVIAR
DMP27M1UPSW-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
84A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4777 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.95W (Ta), 3.57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8 (Type UX)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
DMP27
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMP27M1UPSW-13
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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