Número de Producto del Fabricante:
DMN2014LHAB-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN2014LHAB-7-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Inventario:
2886 Pcs Nuevos Originales En Stock
12888156
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ENVIAR
DMN2014LHAB-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1550pF @ 10V
Potencia - Máx.
800mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-UFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
U-DFN2030-6 (Type B)
Número de producto base
DMN2014
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
DMN2014LHAB-7DICT
DMN2014LHAB-7DITR
DMN2014LHAB-7DIDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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