Número de Producto del Fabricante:
DMJ70H600HK3-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMJ70H600HK3-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
Descripción Detallada:
N-Channel 700 V 7.6A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
12994124
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ENVIAR
DMJ70H600HK3-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
570 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
DMJ70
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMJ70H600HK3-13TR
31-DMJ70H600HK3-13DKR
31-DMJ70H600HK3-13CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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